《模擬電子技術(shù)2389》22春在線作業(yè)2-00001

試卷總分:100  得分:100

一、單選題 (共 10 道試題,共 50 分)

1.用萬用表判別處于放大狀態(tài)的某個BJT的類型（NPN管或PNP管）與三個電極時，最方便的方法是測出（）。

A.各級對地電位

B.各級間電阻

C.各級電流

D.各級間電壓

2.{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

3.欲將電壓信號轉(zhuǎn)換成與之成比例的電流信號，應(yīng)在放大電路中引入深度（）負反饋。

A.電流串聯(lián)

B.電壓并聯(lián)

C.電壓串聯(lián)

D.電流并聯(lián)

4.{圖}

A.{圖}

B.{圖}

C.{圖}

D.不能確定

5.（ ）情況下，可以用H參數(shù)小信號模型分析放大電路。

A.低頻小信號

B.低頻大信號

C.直流小信號

D.高頻小信號

6.當溫度升高時，二極管的反向飽和電流將（ ） 。

A.增大

B.不變

C.減小

D.都有可能

7.在P型半導體中（ ）。

A.空穴是多數(shù)載流子，電子是少數(shù)載流子

B.電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子

C.空穴的數(shù)量略多于電子

D.沒有電子

8.RC橋式振蕩電路中的RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)的作用是（ ）。

A.選頻和引入正反饋

B.引入正反饋

C.選頻

D.穩(wěn)幅和引入正反饋

9.在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于 （ ）

A.雜質(zhì)濃度

B.摻雜工藝的類型

C.溫度

D.晶體中的缺陷

10.在雜質(zhì)半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（）。

A.雜質(zhì)濃度

B.摻雜工藝的類型

C.溫度

D.晶體中的缺陷

二、多選題 (共 6 道試題,共 30 分)

11.題面如下圖：

{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

12.題面如下圖：

{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

13.題面如下圖：

{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

14.題面如下圖：

{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

15.題面如下圖：{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

16.題面如下圖：

{圖}

A.A

B.B

C.C

D.D

三、判斷題 (共 10 道試題,共 20 分)

17.集成放大電路采用直接耦合方式的主要原因之一是不易制作大容量電容。

18.負反饋放大電路的閉環(huán)增益可以利用虛短和虛斷的概念求出。

19.放大電路中輸出的電流和電壓都是由有源元件提供的。

20.題面如下圖：

{圖}

21.對于二階有源濾波電路，集成運放接成同相放大電路時，其增益不能大于3，否則電路工作不穩(wěn)定。

22.雙極型三極管用于放大時要求VBE＞0，場效應(yīng)管用于放大時要求VGS＜0。

23.因為N型半導體的多子是自由電子，所以它帶負電。

24.模擬乘法器可用以構(gòu)成乘法、平方、除法、開平方等運算電路。

25.題面如下圖：

{圖}

26.題面如下圖：

{圖}